Table | Card | RUSMARC | |
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Исследовано влияние обработки поверхности двойной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с помощью прямой ионной литографии на интенсивность сигнала микрофотолюминесценции в потенциальной яме GaAs. В ходе серии экспериментов с использованием метода микрофотолюминесценции показано, что радиационные повреждения, образовавшиеся в результате прямого ионно-лучевого травления, приводят к сильному падению сигнала микрофотолюминесценции структуры. После термического отжига при Т = 620С наблюдалось почти полное (до 90%) восстановление интенсивности сигнала микрофотолюминесценции с поверхностей, подвергшихся травлению. Полученные результаты свидетельствуют о применимости прямой ионно-лучевой литографии для изготовления активных устройств интегральной фотоники на базе данной группы материалов.
The photoluminescent properties of focused ion beam-treated GaAs/AlGaAs double heterostructure were studied using a micro-photoluminescence spectroscopy technique. It was shown that radiation damage induced by FIB lithography leads to the loss of micro-photoluminescence intensity of the structure. Subsequent 620С thermal annealing of the structure leads up to 90% to the recovery of the internal quantum efficiency. Achieved results prove focused ion beam technique to be potent for the fabrication of photonic structures based on A3B5 materials containing active layer.
Document access rights
Network | User group | Action | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
ILC SPbPU Local Network | All | |||||
Internet | Authorized users SPbPU | |||||
Internet | Anonymous |
Usage statistics
Access count: 30
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |