Был подготовлен для многопроходной геометрии образец с квантовыми ямами GaN/AlN. Измерены спектры пропускания для p- и s-поляризованного света. Получен пик в спектре поглощения в диапазоне 1.4-2.0 мкм, связанные с межподзонными переходами в квантовых ямах. Проанализирована возможность практического использования структуры в будущем.

Sample with GaN/AlN multiple quantum wells was prepared in multipass geometry. Intersubband absorption covering the 1.4–2.0 µm wavelength range have been measured.