В данной работе представлены результаты численного моделирования металлорганической газофазной эпитаксии в реакторе CCS с использованием трёх различных кинетических моделей поверхностной химии, описывающих нежелательное встраивание галлия в слои InAl(Ga)N. Был проведен анализ основных экспериментальных тенденций. При моделировании варьировались ростовые параметры для оценки влияния на парциальную скорость роста GaN. По результатам расчетов определены наиболее вероятные механизмы встраивания галлия в тонкие пленки и даны рекомендации к практическому использованию моделей роста.

This paper presents the results of numerical simulation of metalorganic vapour-phase epitaxy in Close Coupled Showerhead reactor using three different kinetic models of surface chemistry, describing the unintentional incorporation of gallium into InAl(Ga)N layers. An analysis of the main experimental trends was carried out. In the simulation, the growth conditions were varied to estimate the effect on the partial growth rate of GaN. Based on the calculation results, the most probable mechanisms for gallium incorporation into thin films were determined and discussed.