Проведено исследование процесса получения омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния. Осуществлена разработка технологии формирования омических контактов к карбиду кремния. Получен режим образования омических контактов в случае SiC JBS диодов с БШ и MOSFET транзисторов. Напыление контактной металлизации производилось в автоматизированной системе электронно-лучевого напыления STE EB71. Контакты формировались методом «взрывной» фотолитографии. Вжигание контактов проводилось в установке быстрой термической обработки AS-One.

The process of obtaining ohmic contacts to epitaxial layers of silicon carbide has been studied. The technology of forming ohmic contacts to silicon carbide has been developed. The formation of ohmic contacts in the case of SiC JBS diodes with BS and MOSFET transistors is obtained. Sputtering contact metallization was carried out in an automated electron-beam sputtering system STE EB71. Contacts were formed by the method of lift-off process. Contact burn-in was carried out in an AS-One quick heat treatment installation.