Погорельский, М.Ю. 0,94 мкм мощные низкопороговые лазерные диоды на основе In0,1Ga0,9As гетероструктур, выращенных методом МВЕ [Электронный ресурс] / М.Ю. Погорельский, А.Н. Алексеев. — (Секция:"Твердотельная электроника"). — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 97,2Кб) // Материалы...25-30 ноября 2002 года [Электронный ресурс] / Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов; Под ред. В.В. Глухова. – СПб. – 2004. – Физико-механический факультет и физико-технический факультет [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электрон. версия печ. публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/003347.pdf>.