Меню
На главную
Расширенный поиск
Атрибутный поиск
Контакты
Информационно-библиотечный комплекс
Вход в систему
Русский
English
0,
94 мкм мощные низкопороговые лазерные диоды на основе In0,
1Ga0,
9As гетероструктур,
выращенных методом МВЕ // Материалы.
.
.
25-30 ноября 2002 года.
– 2004.
– Физико-механический факультет и физико-технический факультет
Информация о документе