Детальная информация
| Название | Фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок PbSe:Bi // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. – 2005. – Радиофизический факультет. — Ч.6 |
|---|---|
| Авторы | Гладышевский В.А. ; Зыков В.А. ; Гаврикова Т.А. |
| Другие авторы | Глухов Владимир Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург) ; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2005 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | поликристаллические пленки ; фотоэлектрические свойства ; электрические свойтсва |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\8167 |
| Дата создания записи | 02.03.2005 |
The mechanisms of conductivity and photoconducnivity in the PbSe:Bi:Se films on glasssubstrates after sensibilization in air are proposed on the base of the temperature dependences ofconductivity, carrier concentrations and mobilities, photoconductivity and photoresponce time. Thephotoresponce decrease at low temperature region are discussed in terms of the presence of surfaceconducting channels.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 1013
За последние 30 дней: 36
