The results of complex investigations of electrical and photoelectrical properties of isotypic p-Si/p-GaN<O> and anisotypic n-Si/p-GaN<O> heterojunctions are presented. The integral and spectralphotoresponses, photoresponse kinetics when different direct and reverse biases are applied, as well as I-Vcharacteristics and the saturanion photoemf were studied. It is shown that in both types of heterojunctionscharge distributions at the interface are mainly determined by the charge binding on the boundary statesdensity of which are estimated as 1014-1015 cm-2. Mechanisms of the photosensitivity formation in anisotypicand isotypic heterojunctions are analyzed. Differential type of photokinetics is shown to be related to statesrecharging on the interface. The energetic bands models of heterojunction proposed allows us to explainadequately the observed effects. The efficiency of solar cells on the base of heterojunctions Si/GaN<O> arediscussed.

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург). Материалы...24 - 29 ноября 2003г. [Электронный ресурс] / Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научно-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. — Санкт-Петербург, 2004. — Электрон. версия печ. публикации 2004. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 4.0.

Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург). Материалы...24 - 29 ноября 2003г. [Электронный ресурс] / Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научно-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург); Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов; Под общ. ред. В.В. Глухова. — Санкт-Петербург, 2004. Радиофизический факультет [Электронный ресурс]. — Ч.6. — Электрон. текстовые дан. (91 файл: 10,8 МБ), 2005. — Электрон. версия печ. публикации 2004. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовые файлы. — Adobe Acrobat Reader 4.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/840.pdf>.