Детальная информация
| Название | Влияние способа выращивания на электрофизические свойства теллурида висмута, легированного оловом // Материалы...24 - 29 ноября 2003г. – 2005. – Радиофизический факультет. — Ч.6 |
|---|---|
| Авторы | Никулина М.Ю. ; Житинкская М.К. ; Немов С.А. |
| Другие авторы | Глухов Владимир Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Межвузовская научная-техническая конференция, Неделя науки (32; 2003; Санкт-Петербург) ; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2005 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | метод Чохральского ; направленная кристаллизация ; твердые растворы ; термоэлектрики |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\8216 |
| Дата создания записи | 09.03.2005 |
Single crystals Bi2Te3 n-type grown by Chohralsky technique and doped with Sn, demonstratea high electrical homogeneity comparatively undoped Bi2Te3. This work reports the results of experimentalstudy of the influence of the method of growing to the n-type Bi2Te3.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 978
За последние 30 дней: 15
