Детальная информация
| Название | Миграция электронных возбуждений и сенсибилизация излучения в квантовых ямах InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu // XXXVI неделя науки СПбГПУ: материалы Всероссийской межвуз. науч.-техн. конф. студентов и аспирантов, 26 ноября - 1 декабря 2007 г. Санкт-Петербург. – 2009. – Физико-механический факультет. Физико-технический факультет. Факультет медицинской физики и биоинженерии. — Ч. 4 |
|---|---|
| Авторы | Кузьмин Р. В. ; Криволапчук В. В. |
| Другие авторы | Рудской Андрей Иванович ; Арсеньев Д. Г. ; Глухов Владимир Викторович |
| Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет ; Совет СПбГПУ по научно-исследовательской работе студентов |
| Выходные сведения | СПб.: Изд-во СПбГПУ, 2009 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | квантовые ямы ; светоизлучающие диоды ; светоизлучающие приборы |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\16660 |
| Дата создания записи | 07.10.2009 |
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 876
За последние 30 дней: 18
