Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10

Детальная информация

	Таблица	Карточка	RUSMARC

Название:	Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10
Авторы:	Петров С. И.
Научный руководитель:	Сидоров В. Г.
Организация:	Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
Выходные сведения:	СПб., 2007
Коллекция:	Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика:	Полупроводниковые соединения — Физика
УДК:	537.311.322(043.3); 621.315.5.002(043.3)
Тип документа:	Автореферат
Тип файла:	PDF
Язык:	Русский
Код специальности ОКСВНК:	01.04.10
Группа специальностей ОКСВНК:	010000 - Физико-математические науки
Права доступа:	Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи:	RU\SPSTU\edoc\14620

Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,4 Мб)

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

	Место доступа		Группа пользователей		Действие
	Локальная сеть ИБК СПбПУ		Все
	Интернет		Все

Количество обращений: 1030
За последние 30 дней: 13
Подробная статистика