Название:
|
Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников А³В⁵ и кремния и их применение в сенсорах водорода: автореф. дис. … д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10
|
Авторы:
|
Салихов Хафиз Миргазямович
|
Организация:
|
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
|
Выходные сведения:
|
СПб., 2010
|
Коллекция:
|
Научные работы аспирантов/докторантов;
Общая коллекция
|
Тематика:
|
Диоды полупроводниковые с барьером Шоттки;
Полупроводниковые гетеропереходы;
Сенсоры оптоэлектронные
|
УДК:
|
621.382.2(043.3);
537.311.322(043.3);
621.383.526(043.3)
|
Тип документа:
|
Автореферат
|
Тип файла:
|
PDF
|
Язык:
|
Русский
|
Код специальности ОКСВНК:
|
01.04.10
|
Группа специальностей ОКСВНК:
|
010000 - Физико-математические науки
|
Права доступа:
|
Доступ из локальной сети ИБК СПбПУ (чтение)
|
Ключ записи:
|
RU\SPSTU\edoc\17431
|