Детальная информация
Название | Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости: автореф. дис. … канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 |
---|---|
Авторы | Рыбальченко Андрей Юрьевич |
Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2013 |
Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
Тематика | Диоды светоизлучающие; Полупроводниковые структуры |
УДК | 537.311.322(043.3); 621.383.52(043.3) |
Тип документа | Автореферат |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Код специальности ОКСВНК | 01.04.10 |
Группа специальностей ОКСВНК | 010000 - Физико-математические науки |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\20742 |
Дата создания записи | 27.11.2013 |
Исследованы особенности пространственного распределения плотности темнового тока и фототока в фотодиодах на основе структур InAsSbP/InAs(Sb), облучаемых со стороны слоя p-типа проводимости. Проанализировано влияние неравномерности распределения плотности тока на основные характеристики фотодиодов.
Количество обращений: 2122
За последние 30 дней: 10