С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Оптическое исследование брэгговской системы плазмонных нановключений As и AsSb в матрице AlGaAs: магистерская диссертация
Авторы: Ушанов Виталий Игоревич
Организация: Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2014
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Наноструктурные материалы; Полупроводники — Оптические свойства; Мышьяк
УДК: 537.311.322:546.19(043.3)
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе проведены экспериментальные и теоретические исследования оптических свойств метаматериалов на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей массивы металлических нановключений AsSb. Исследуемые образцы содержали хаотические трёхмерные массивы нановключений AsSb или периодическую брэгговскую структуру слоёв AsSb. Получены и проанализированы спектры экстинкции света для структур, содержащих хаотические трёхмерные массивы нановключений As и AsSb. Впервые экспериментально обнаружен плазмонный резонанс в системе AsSb-AlGaAs. По теории Ми проведён расчёт спектров оптической экстинкции. Расчётные и экспериментальные параметры плазмонного резонанса совпали: резонансная частота составила 1.48эВ, а полная ширина на половине высоты - 0.18эВ. В случае нановключений As резонансная частота находится за пределами окна прозрачности матрицы AlGaAs.Также исследованы зависимости оптического отражения от периодической брэгговской системы слоёв нановключений AsSb в матрице AlGaAs для различных углов падения и поляризаций света. В экспериментальных спектрах наблюдается устойчивая брэгговская дифракция. Положение главного брэгговского пика при нормальном падении было зарегистрировано на энергии квантов света 1.57эВ, а его амплитуда составила 23%. Основной причиной сильной брэгговской дифракции света на слоях нановключений AsSb является близость по энергии плазмонного и брэгговского резонансов. Моделирование резонансного брэгговского отражения для различных углов падения и поляризаций света было выполнено методом матриц переноса, с учётом параметров обнаруженного плазмонного резонанса в системе нановключений AsSb.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 889
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика