Детальная информация

Название Оптическое исследование брэгговской системы плазмонных нановключений As и AsSb в матрице AlGaAs: магистерская диссертация
Авторы Ушанов Виталий Игоревич
Организация Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2014
Коллекция Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция
Тематика Наноструктурные материалы ; Полупроводники — Оптические свойства ; Мышьяк
УДК 537.311.322:546.19(043.3)
Тип документа Другой
Тип файла PDF
Язык Русский
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\22182
Дата создания записи 07.07.2014

Разрешенные действия

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В данной работе проведены экспериментальные и теоретические исследования оптических свойств метаматериалов на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей массивы металлических нановключений AsSb. Исследуемые образцы содержали хаотические трёхмерные массивы нановключений AsSb или периодическую брэгговскую структуру слоёв AsSb. Получены и проанализированы спектры экстинкции света для структур, содержащих хаотические трёхмерные массивы нановключений As и AsSb. Впервые экспериментально обнаружен плазмонный резонанс в системе AsSb-AlGaAs. По теории Ми проведён расчёт спектров оптической экстинкции. Расчётные и экспериментальные параметры плазмонного резонанса совпали: резонансная частота составила 1.48эВ, а полная ширина на половине высоты - 0.18эВ. В случае нановключений As резонансная частота находится за пределами окна прозрачности матрицы AlGaAs.Также исследованы зависимости оптического отражения от периодической брэгговской системы слоёв нановключений AsSb в матрице AlGaAs для различных углов падения и поляризаций света. В экспериментальных спектрах наблюдается устойчивая брэгговская дифракция. Положение главного брэгговского пика при нормальном падении было зарегистрировано на энергии квантов света 1.57эВ, а его амплитуда составила 23%. Основной причиной сильной брэгговской дифракции света на слоях нановключений AsSb является близость по энергии плазмонного и брэгговского резонансов. Моделирование резонансного брэгговского отражения для различных углов падения и поляризаций света было выполнено методом матриц переноса, с учётом параметров обнаруженного плазмонного резонанса в системе нановключений AsSb.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Анонимные пользователи

Количество обращений: 892 
За последние 30 дней: 0

Подробная статистика