Детальная информация
Название | Оптическое исследование брэгговской системы плазмонных нановключений As и AsSb в матрице AlGaAs: магистерская диссертация |
---|---|
Авторы | Ушанов Виталий Игоревич |
Организация | Санкт-Петербургский государственный политехнический университет. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2014 |
Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
Тематика | Наноструктурные материалы ; Полупроводники — Оптические свойства ; Мышьяк |
УДК | 537.311.322:546.19(043.3) |
Тип документа | Другой |
Тип файла | |
Язык | Русский |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\22182 |
Дата создания записи | 07.07.2014 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
В данной работе проведены экспериментальные и теоретические исследования оптических свойств метаматериалов на основе полупроводниковой матрицы AlGaAs, содержащей массивы металлических нановключений AsSb. Исследуемые образцы содержали хаотические трёхмерные массивы нановключений AsSb или периодическую брэгговскую структуру слоёв AsSb. Получены и проанализированы спектры экстинкции света для структур, содержащих хаотические трёхмерные массивы нановключений As и AsSb. Впервые экспериментально обнаружен плазмонный резонанс в системе AsSb-AlGaAs. По теории Ми проведён расчёт спектров оптической экстинкции. Расчётные и экспериментальные параметры плазмонного резонанса совпали: резонансная частота составила 1.48эВ, а полная ширина на половине высоты - 0.18эВ. В случае нановключений As резонансная частота находится за пределами окна прозрачности матрицы AlGaAs.Также исследованы зависимости оптического отражения от периодической брэгговской системы слоёв нановключений AsSb в матрице AlGaAs для различных углов падения и поляризаций света. В экспериментальных спектрах наблюдается устойчивая брэгговская дифракция. Положение главного брэгговского пика при нормальном падении было зарегистрировано на энергии квантов света 1.57эВ, а его амплитуда составила 23%. Основной причиной сильной брэгговской дифракции света на слоях нановключений AsSb является близость по энергии плазмонного и брэгговского резонансов. Моделирование резонансного брэгговского отражения для различных углов падения и поляризаций света было выполнено методом матриц переноса, с учётом параметров обнаруженного плазмонного резонанса в системе нановключений AsSb.
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 892
За последние 30 дней: 0