Ионов, Леонид Эдуардович. Влияние конструкции барьерного слоя на электрофизические параметры транзисторных гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом МЛЭ [Электронный ресурс]: магистерская диссертация / Л.Э. Ионов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,64 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4371.pdf>.
|
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
|
Year 2014
|
38
|
0
|
19
|
0
|
57
|
|
Year 2015
|
182
|
0
|
124
|
0
|
306
|
|
Year 2016
|
66
|
0
|
36
|
0
|
102
|
|
Year 2017
|
21
|
0
|
26
|
0
|
47
|
|
Year 2018
|
39
|
0
|
139
|
0
|
178
|
|
Year 2019
|
23
|
0
|
111
|
0
|
134
|
|
Year 2020
|
8
|
0
|
27
|
0
|
35
|
|
2021
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Year 2022
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Total
|
378
|
0
|
482
|
0
|
860
|
