Ионов, Леонид Эдуардович. Влияние конструкции барьерного слоя на электрофизические параметры транзисторных гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом МЛЭ [Электронный ресурс]: магистерская диссертация / Л.Э. Ионов; Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 1,64 Мб). — Санкт-Петербург, 2014. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/4371.pdf>.
|
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
|
Year 2014
|
Quarter 3
|
23
|
0
|
12
|
0
|
35
|
|
Quarter 4
|
15
|
0
|
7
|
0
|
22
|
|
Year 2015
|
Quarter 1
|
26
|
0
|
14
|
0
|
40
|
|
Quarter 2
|
54
|
0
|
25
|
0
|
79
|
|
Quarter 3
|
48
|
0
|
38
|
0
|
86
|
|
Quarter 4
|
54
|
0
|
47
|
0
|
101
|
|
Year 2016
|
Quarter 1
|
28
|
0
|
22
|
0
|
50
|
|
Quarter 2
|
22
|
0
|
5
|
0
|
27
|
|
Quarter 3
|
6
|
0
|
3
|
0
|
9
|
|
Quarter 4
|
10
|
0
|
6
|
0
|
16
|
|
Year 2017
|
Quarter 1
|
4
|
0
|
3
|
0
|
7
|
|
Quarter 2
|
2
|
0
|
4
|
0
|
6
|
|
Quarter 3
|
7
|
0
|
6
|
0
|
13
|
|
Quarter 4
|
8
|
0
|
13
|
0
|
21
|
|
Year 2018
|
Quarter 1
|
7
|
0
|
21
|
0
|
28
|
|
Quarter 2
|
7
|
0
|
71
|
0
|
78
|
|
Quarter 3
|
20
|
0
|
27
|
0
|
47
|
|
Quarter 4
|
5
|
0
|
20
|
0
|
25
|
|
Year 2019
|
Quarter 1
|
9
|
0
|
9
|
0
|
18
|
|
Quarter 2
|
5
|
0
|
37
|
0
|
42
|
|
Quarter 3
|
7
|
0
|
34
|
0
|
41
|
|
Quarter 4
|
2
|
0
|
31
|
0
|
33
|
|
Year 2020
|
Quarter 1
|
7
|
0
|
21
|
0
|
28
|
|
Quarter 2
|
1
|
0
|
4
|
0
|
5
|
|
Quarter 3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 4
|
0
|
0
|
2
|
0
|
2
|
|
2021
|
Quarter 1
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 2
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Year 2022
|
Quarter 1
|
1
|
0
|
0
|
0
|
1
|
|
Quarter 2
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 3
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Quarter 4
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
|
Total
|
378
|
0
|
482
|
0
|
860
|
