В работе исследовались структуры с барьерами Шоттки (БШ), сформированными термовакуумным напылением Cr на С грани кристаллов 6H-SiC с концентрацией Nd - Na = 2х1018 см-3. Точечные базовые контакты на Si грани кристаллов изготавливались напылением Cr/Al. Структуры облучались ионами Xe с энергией 167 МэВ флюенсами 4х109-7 х1011 см-2 при температуре 300 К в одинаковых режимах как со стороны БШ, так и базовых контактов. Распределение радиационных дефектов по глубине образцов исследовалось на сколе кристаллов методом локальной катодолюминесценции (ЛКЛ). Исследовались ВФХ и ВАХ характеристики БШ. Впервые для SiC электрическими методиками был выявлен эффект глубокого проникновения радиационных дефектов на глубину, превышающую в несколько десятков раз пробег ионов Хе. Было выявлено, что в начале пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты акцепторного типа. Однако в конце пробега ионов Хе образуются радиационные дефекты донорного типа.