В диссертации на соискание учёной степени магистра рассматривается динамика релаксации фотоиндуцированного поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si. Экспериментально проводится измерение временных характеристик релаксации фотоиндуцированного поглощения Ge/Siквантовых точек. Измеряются кривые релаксации поглощения среднего ИК диапазона после возбуждения неравновесных носителей заряда коротким лазерным импульсом при разных температурах. Проводится экспериментальноеопределение времен жизни носителей заряда в структурах с квантовыми точками Ge/Si.

In this master's thesis the dynamics of the photoinduced absorptionrelaxation in Ge/Si quantum dots structures is considered. The temporal characteristics of the photoinduced absorption relaxation in Ge/Si quantum dots were measured experimentally. Relaxation curves of mid-IR absorption after excitation of nonequilibrium charge carriers by short laser pulse at different temperatures were measured. Experimental determination of the charge carrierlifetimes in Ge/Si quantum dot structures was carried out.