С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Динамика релаксации фотоиндуцированного поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si: магистерская диссертация
Creators: Куней Александр Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2015
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Полупроводники — Фотоэлектрические свойства; Лазерное излучение; Инфракрасные лучи
UDC: 537.311.322:535-15(043.3)
File type: PDF
Language: Russian
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В диссертации на соискание учёной степени магистра рассматривается динамика релаксации фотоиндуцированного поглощения в структурах с квантовыми точками Ge/Si. Экспериментально проводится измерение временных характеристик релаксации фотоиндуцированного поглощения Ge/Siквантовых точек. Измеряются кривые релаксации поглощения среднего ИК диапазона после возбуждения неравновесных носителей заряда коротким лазерным импульсом при разных температурах. Проводится экспериментальноеопределение времен жизни носителей заряда в структурах с квантовыми точками Ge/Si.

In this master's thesis the dynamics of the photoinduced absorptionrelaxation in Ge/Si quantum dots structures is considered. The temporal characteristics of the photoinduced absorption relaxation in Ge/Si quantum dots were measured experimentally. Relaxation curves of mid-IR absorption after excitation of nonequilibrium charge carriers by short laser pulse at different temperatures were measured. Experimental determination of the charge carrierlifetimes in Ge/Si quantum dot structures was carried out.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 748
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics