Детальная информация

Название: Излучение терагерцового диапазона при примесных переходах носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs: магистерская диссертация
Авторы: Махов Иван Сергеевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2015
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Полупроводниковые структуры; Фотолюминесценция
УДК: 537.311.322:535.37(043.3)
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В настоящей работе представлены результаты исследований примесной фотолюминесценции терагерцового и ближнего инфракрасного диапазонов в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированными донорной примесью кремния. В спектрах фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне была обнаружена линия излучения, за которую ответственны оптические переходы электронов из основного состояния донорной примеси в квантовых ямах в нижнюю подзону тяжелых дырок в квантовых ямах. Опустошение основного состояния донора благодаря этим переходам позволило наблюдать фотолюминесценцию в терагерцовом диапазоне, связанную с переходами электронов из первой подзоны размерного квантования на основное состояния донора, а также с внутрицентровыми оптическими переходами. Результаты исследования ФЛ в ближнем и дальнем ИК диапазонах дополняют друг друга и хорошо согласуются с теоретическими расчетами.

The results of experimental investigations of impurity-assisted photoluminescence from Si-doped GaAs/AlGaAs quantum wells both in terahertz and near-infrared spectral ranges are presented. The optical electron transitions from impurity ground state to first heavy hole subband in near-infrared spectral range are revealed. The depopulation of the donor ground state due to these transitions allowed us to observe photoluminescence in terahertz spectral range related to electron transitions from the first electron subband to donor ground state as well as to intracenter optical transitions. Experimental results in terahertz and near-infrared spectral ranges are in good agreement with the energy spectrum calculations.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 630
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика