В данной работе были исследованы спектры фотолюминесценции структуры с квантовыми ямами II типа InAs/GaSb в среднем ИК диапазоне спектра для температур в диапазоне от 80К до 250К. Обнаружено удовлетворительное соответствие спектрального положения линий ФЛ, наблюдаемых в эксперименте, с расчетным значениями энергий ожидаемых межзонных переходов. Проведен анализ температурной зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции исследуемого образца, на основе которого сделан вывод, что безызлучательное время жизни много больше, чем излучательное.

The photoluminescence spectra of quantum wells structure type II InAs / GaSb in the mid-IR spectral range were investigated for temperatures in the range of 80 K to 250 K. It was found the satisfactory agreement of spectral position of the PL lines observed in the experiment with the calculated value of the expected energy of interband transitions. The analysis of the temperature dependence of the integrated intensity of the photoluminescence of the test sample was done on which basis it was concluded that the non-radiative lifetime is much greater than the radiative.