С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Фотолюминесценция структур с квантовыми ямами InAs/GaSb в средней инфракрасной области спектра: бакалаврская работа
Авторы: Игиташева Дарья Олеговна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. Физики полупроводников и наноэлектроники
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2015
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе были исследованы спектры фотолюминесценции структуры с квантовыми ямами II типа InAs/GaSb в среднем ИК диапазоне спектра для температур в диапазоне от 80К до 250К. Обнаружено удовлетворительное соответствие спектрального положения линий ФЛ, наблюдаемых в эксперименте, с расчетным значениями энергий ожидаемых межзонных переходов. Проведен анализ температурной зависимости интегральной интенсивности фотолюминесценции исследуемого образца, на основе которого сделан вывод, что безызлучательное время жизни много больше, чем излучательное.

The photoluminescence spectra of quantum wells structure type II InAs / GaSb in the mid-IR spectral range were investigated for temperatures in the range of 80 K to 250 K. It was found the satisfactory agreement of spectral position of the PL lines observed in the experiment with the calculated value of the expected energy of interband transitions. The analysis of the temperature dependence of the integrated intensity of the photoluminescence of the test sample was done on which basis it was concluded that the non-radiative lifetime is much greater than the radiative.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 623
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика