Детальная информация
| Название | Разработка установки для исследований низкочастотных шумов в СВЧ GaN полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов: бакалаврская работа |
|---|---|
| Авторы | Суханова Алина Вадимовна |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2015 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тип документа | Другой |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\28273 |
| Дата создания записи | 09.10.2015 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Объектом исследования являются СВЧ AlGaN/GaN HEMT-транзисторы. Разработана установка для измерения шумов тока транзистора в статическом режиме. Измерены шумовые характеристики опытных образцов в широком диапазоне напряжений на стоке и затворе. Эти данные позволили сделать выводы о возможных источниках шума в транзисторе и их локализации.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
