С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Применение технологии атомно-слоевого осаждения оксида гафния в производстве элементов электронной компонентной базы // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление: научное издание. – 2015. – № 4 (224)
Авторы: Алябьев Алексей Юрьевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Министерство образования и науки Российской Федерации
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2015
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; атомно-слоевые осаждения; оксид гафния; гафний; электронная компонентная база; миниатюризация; полупроводниковые интегральные схемы; диэлектрические характеристики; микроструктурный анализ
УДК: 621.382
ББК: 32.852
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: PDF
Язык: Русский
DOI: 10.5862/JCSTCS.224.5
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: Прочитать

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Рассмотрены технологические преимущества процесса атомно-слоевого осаждения, возможное применение при решении проблем дальнейшей миниатюризации и повышения быстродействия полупроводниковых устройств. Описаны результаты проведенного осаждения перспективного материала наноэлектроники – диоксида гафния различной толщины на кремниевые подложки диаметром 200 и 300 мм. Приведены результаты по формированию многослойных структур с оптимизированными диэлектрическими свойствами. Для созданных образцов представлены результаты измерений диэлектрических характеристик и микроструктурного анализа.

An atomic layer deposition technique provides key advantages for developing more efficient materials with optimized dielectric properties (high-k dielectrics) for various semiconductor device applications (forexample, transistors and memory cells). Highly conformal atomic layer deposition of dielectric layers on 200 and 300 mm silicon wafers, especially HfO2, has no alternative in sight for the next generations ofmicroelectronics. Thus, we have examined the growth behavior of Hafnium-based materials and focused on the impact of precursor chemistry and process conditions on the bulk growth behavior and the ALD growth characteristics of ternary oxides. Two different ALD reactor design types and two wafer diameters results were compared. The results of measuring the dielectric properties and a microstructure analysis have been shown and discussed.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи Прочитать

Статистика использования

stat Количество обращений: 717
За последние 30 дней: 6
Подробная статистика