Детальная информация
Название | Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: тезисы докладов 19-й всероссийской молодежной конференции, 27 ноября - 1 декабря 2017 г., Санкт-Петербург |
---|---|
Организация | "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника", всероссийская молодежная конференция (19; 2017; Санкт-Петербург) ; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
Выходные сведения | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017 |
Коллекция | Конференции ; Общая коллекция |
Тематика | Полупроводники — Физика ; Наноструктурные материалы ; Оптоэлектроника |
УДК | 537.311.322(063) ; 620.22-022.53(063) ; 621.382(063) |
Тип документа | Другой |
Тип файла | |
Язык | Русский |
DOI | 10.18720/SPBPU/2/i17-430 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\50726 |
Дата создания записи | 21.12.2017 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа | Анонимные пользователи |
---|---|
Сеть | Интернет |
Место доступа | Группа пользователей | Действие |
---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
Интернет | Анонимные пользователи |
|
- Binder5.pdf
- Binder4.pdf
- Binder2.pdf
- Binder1.pdf
- Титульный лист_2017.pdf
- Конференция проведена при финансовой поддержке
- Председатель конференции
- Р.А. Сурис, акад. РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
- Программный комитет
- Председатель ─ Р.А. Сурис, акад. РАН, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
- Члены комитета:
- Организационный комитет
- Д.Р. Хохлов, МГУ, Москва
- Новосибирск
- Р.М. Балагула, СПбПУ, С.-Петербург
- Е.В. Владимирская, СПбПУ, С.-Петербург
- тезисы_ОСП_ПРПГР
- УДК 538.9
- UД.А. АкопянU (студ.,5 курс, МГУ им. М.В. Ломоносова, физический фак-т,
- каф. общей физики и физики конденсированного состояния), Д.Р. Хохлов (д.ф-м.н., зав. каф., МГУ им. М.В. Ломоносова, физический фак-т,
- каф. общей физики и физики конденсированного состояния)
- СПЕКТР ФОТОПРОВОДИМОСТИ Pb1-xSnxTe(In) В УСЛОВИЯХ ВЧ-ГАШЕНИЯ
- УДК 538.915
- ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
- В ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЯХ НА ОСНОВЕ АЛМАЗА
- Рис.1. – ВФХ измерения и профили концентрации в образце с дельта-слоями (450 К).
- ОПТИМИЗАЦИЯ СПОСОБОВ ПОЛУЧЕНИЯ СПЛАВОВ ПОЛУ-ГЕЙСЛЕРА
- СОСТАВА FeNb0.8Ti0.2Sb
- Титульный лист_2017.pdf
- тезисы_ГСКЯ_КТКННС
- ЧАСТОТНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ВЧ ПРЫЖКОВОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДВУМЕРНОГО ГАЗА ДЫРОК В СТРУКТУРАХ p-Ge/GeSi
- 1. A.P. Boltaev, F.A. Pudonin, I.A. Sherstnev, D.A. Egorov, A.M. Kozmin “Flat magnetic exchange springs as mechanism for additional magnetoresistance in magnetic nanoisland arrays” JMMM, 428, p.132-135 (2017).
- УДК 538.911
- Binder1.pdf
- тезисы_ПОН_НМ
- УДК 537.572
- ВЛИЯНИЕ СПОСОБА ПОДГОТОВКИ ИНТЕРФЕЙСНОГО СЛОЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ
- И СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ GaN/Si СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
- Binder2.pdf
- АВТОРСКИЙ УКАЗАТЕЛЬ
- Binder4.pdf
- концовка
Количество обращений: 49
За последние 30 дней: 0