В пособии рассмотрены вопросы теории рассеяния электронов вблизи поверхности полупроводников. Детально описано формирование приповерхностного потенциала твердотельного полупроводника, роль различных групп электронов в таком формировании, а также непосредственно поверхностное резонансное рассеяние электронов, в том числе поляризованных. Изложение опирается на материалы оригинальных статей. Пособие может быть полезно преподавателям, научным работникам и аспирантам, специализирующимся в области теории взаимодействия частиц с веществом и физики твердого тела.

• титулы(в печать)
• Рассеяние с 3 до конца
  • ВВЕДЕНИЕ
  • МОДЕЛИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ
  • 
  • E  0.738
    • РОЛЬ РАЗЛИЧНЫХ ГРУПП ЭЛЕКТРОНОВ В ФОРМИРОВАНИИ ПОТЕНЦИАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ
    • 
  • 
  •  (1)
    •  
      • РЕЗОНАНСНЫЕ СОСТОЯНИЯ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
      • ПОВЕРХНОСТНОЕ РЕЗОНАНСНОЕ РАССЕЯНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
      • КВАЗИУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР
      • Рассеяние электронов на протяженном потенциале.
      • Сечение однократного дипольного рассеяния.
      • Многократное тепловое рассеяние.
    • 2 
      • Неупругое рассеяние медленных электронов поверхностью кремния при высоких температурах.
      • а б
      • 4
      • 
      • Im 1 
      • 
      • 2 
      • 
        •  arctg
      • 
      • 
• титулы(в печать) 3