С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Рассеяние медленных электронов полупроводниковыми кристаллами: учебное пособие для реализации основных профессиональных образовательных программ по направлению подготовки магистров 16.04.01 "Техническая физика"
Авторы: Дубов Виктор Викторович; Кораблев Вадим Васильевич; Рощупкин Сергей Павлович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Выходные сведения: Санкт-Петербург: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2019
Коллекция: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Тематика: Электроны — Взаимодействие с поверхностью твердых тел; Электроны — Рассеяние; Кристаллы полупроводниковые
УДК: 539.121.72:539.211(075.8); 537.311.322(075.8)
Тип документа: Учебное издание
Тип файла: PDF
Язык: Русский
DOI: 10.18720/SPBPU/2/i19-138
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать)

Разрешенные действия: Прочитать

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В пособии рассмотрены вопросы теории рассеяния электронов вблизи поверхности полупроводников. Детально описано формирование приповерхностного потенциала твердотельного полупроводника, роль различных групп электронов в таком формировании, а также непосредственно поверхностное резонансное рассеяние электронов, в том числе поляризованных. Изложение опирается на материалы оригинальных статей. Пособие может быть полезно преподавателям, научным работникам и аспирантам, специализирующимся в области теории взаимодействия частиц с веществом и физики твердого тела.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать
-> Интернет Анонимные пользователи Прочитать

Оглавление

  • титулы(в печать)
  • Рассеяние с 3 до конца
    • ВВЕДЕНИЕ
    • МОДЕЛИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПОТЕНЦИАЛОВ
    • E  0.738
      • РОЛЬ РАЗЛИЧНЫХ ГРУПП ЭЛЕКТРОНОВ В ФОРМИРОВАНИИ ПОТЕНЦИАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ
    •  (1)
      •  
        • РЕЗОНАНСНЫЕ СОСТОЯНИЯ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТЕЙ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
        • ПОВЕРХНОСТНОЕ РЕЗОНАНСНОЕ РАССЕЯНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
        • КВАЗИУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ ТЕМПЕРАТУР
        • Рассеяние электронов на протяженном потенциале.
        • Сечение однократного дипольного рассеяния.
        • Многократное тепловое рассеяние.
      • 2 
        • Неупругое рассеяние медленных электронов поверхностью кремния при высоких температурах.
        • а б
        • 4
        • 
        • Im 1 
        • 2 
          •  arctg
  • титулы(в печать) 3

Статистика использования

stat Количество обращений: 24
За последние 30 дней: 4
Подробная статистика