С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Возможность применения спектроскопии комбинационного рассеяния света для оценки толщины интерфейсного слоя в сверхрешетках AlN/GaN // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки: научное издание. – 2016. – № 2 (242)
Creators: Панькин Дмитрий Васильевич; Смирнов Михаил Борисович
Organization: Санкт-Петербургский государственный университет; Министерство образования и науки Российской Федерации
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2016
Collection: Общая коллекция
Subjects: Физика; Физика твердого тела. Кристаллография в целом; спектроскопия; рассеяние света; нитридные сверхрешетки; интерфейсные слои; полярные фононы; диэлектрический континуум; твердые растворы; слабоинтенсивные моды; комбинационное рассеяние света; вековые уравнения (математика); короткопериодные пределы; бинарные структуры; кристаллические нитриды
UDC: 539.2
LBC: 22.37
Document type: Article, report
File type: PDF
Language: Russian
DOI: 10.5862/JPM.242.3
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions: Read

Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Рассмотрено поведение полярных оптических фононов в четырехслойных периодических системах со слоями GaN, AlN и твердым раствором на их основе. Аналитически установлен вид векового уравнения, описывающего свойства данного типа фононов в системах с различным отношением значений толщины слоев в короткопериодном пределе. Сделан вывод, что введение дополнительного слоя приводит к появлению дополнительных слабоинтенсивных мод в спектрах комбинационного рассеяния, величина частотного расщепления которых зависит от толщины переходного слоя.

The behavior of polar optical phonons in periodic four-layer systems with layers of GaN, AlN and solid solution based on them. Analytically includes a kind of secular equations that describe the properties of this type of phonons in systems with different ratio of the thicknesses of the layers in short-period limit. It is concluded that the introduction of an additional layer leads to additional slabonervnih modes in Raman spectra, the magnitude of frequency splitting which depends on the thickness of the transition layer.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous Read

Document usage statistics

stat Document access count: 331
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics