С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Поэтапное моделирование механизма фазового перехода полупроводник - металл в диоксиде ванадия // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2017. – Т. 10, № 3
Авторы: Ильинский Александр Валентинович; Шадрин Евгений Борисович; Пашкевич Марина Эрнестовна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Выходные сведения: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Физика полупроводников и диэлектриков; Физика; корреляционная энергия; распределение Мигдала; Мигдала распределение; переход Мотта; Мотта переход; поэтапное моделирование; полупроводники; диоксид ванадия; phase transitions; correlation energy; Migdal distribution; Mott transition; Pierls transition; phased modeling; фазовые переходы; vanadium dioxide; semiconductors
УДК: 537.311.33
ББК: 22.379
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: PDF
Язык: Русский
DOI: 10.18721/JPM.10301
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия: Прочитать

Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Предложен алгоритм поэтапного качественного моделирования механизма фазового перехода полупроводник – металл в диоксиде ванадия. В основе модели лежит утверждение о комплексном характере перехода, состоящего из безгистерезисного, чисто электронного перехода Мотта, происходящего в широком температурном интервале, и скачкообразного по температуре структурного перехода Пайерлса, обладающего термическим гистерезисом. Начальный этап модели базируется на решении квантовомеханической задачи об электронном спектре линейной цепочки ионов ванадия. Модель завершается введением в рассмотрение корреляционных эффектов и мартенситного характера структурного перехода. Поэтапное усложнение модели осуществляется путем учета последовательного вводимых в рассмотрение экспериментальных фактов, полученных рентгеновскими, спектроскопическими, импедансметрическими и магниторезонансными методами.

The algorithm of stage-by-stage qualitative modeling of the mechanism of a semiconductor – metal phase transition in vanadium dioxide has been proposed. The basis for the model is a statement that the transition is complex in character and consists of the anhysteretic, purely electronic Моtt transition occurring over a wide temperature range, and the temperature-abrupt structural Peierls transition having a thermal hysteresis. The initial stage of the model is based on the solution of a quantum-mechanical problem of an electronic spectrum of a linear vanadium-ion’s chain. The model is completed by consideration of correlation effects and a martensitic character of the structural transition through taking consecutively account of results obtained by X-ray, spectroscopic, impedansmetric and magnetoresonance metods.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи Прочитать

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика