Абросимов, Александр Сергеевич. Численное моделирование резонансно-туннельных структур на основе барьера Шоттки и гетероперехода GaAs/AlGaAs [Электронный ресурс] / А. С. Абросимов, В. Н. Агарев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 948 Кб) // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки = St. Petersburg state polytechnical university journal. Physics and mathematics: научное издание / Министерство образования и науки Российской Федерации. – 2018. – Т. 11, № 1 [Электронный ресурс]. — Загл. с титул. экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текстовый файл. — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://dx.doi.org/10.18721/JPM.11101>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j18-255.pdf>.
Period
|
Read
|
Print
|
Copy
|
Open
|
Total
|
Yesterday
|
1
|
0
|
1
|
0
|
2
|
Last 30 days
|
3
|
0
|
11
|
0
|
14
|
Last 365 days
|
19
|
0
|
62
|
0
|
81
|
All time
|
167
|
0
|
313
|
0
|
480
|