Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,6 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Проанализированы характеристики микроэлектронного динамического операционного p–i–n-фотодетектора, обусловленные взаимодействием объемных эффектов и адсорбированных частиц на поверхности пленки оксида кремния. Рассмотрены температурные характеристики в режиме светового облучения, аномальные характеристики температурного гистерезиса, процессы в адсорбированном слое и перенос носителей заряда через потенциальный барьер в объеме кремниевой подложки. Обнаружено, что чувствительность прибора по отношению к фототоку нелинейно зависит от температуры.
The characteristics of the microelectronic dynamic operational p–i–n-photodetector have been analyzed. These features are determined by the interaction of volume effects with particles adsorbed on the SiO[2] film surface. The temperature characteristics in the visible light irradiation regime, the anomalous characteristics of the temperature hysteresis, the processes in the adsorbed layer and the charge carriers transport through the potential barrier in the Si substrate bulk were considered.
Права на использование объекта хранения
Статистика использования
|
Количество обращений: 324
За последние 30 дней: 11 Подробная статистика |