Детальная информация

Название Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2018. – Т. 11, № 2
Авторы Дюбо Дмитрий Борисович ; Цыбин Олег Юрьевич
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Выходные сведения Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018
Коллекция Общая коллекция
Тематика Радиоэлектроника ; Фотоэлектрические приборы ; фотодиоды ; динамические фотодиоды ; зарядовые барьеры ; высота зарядовых барьеров ; поверхностные эффекты ; объемные эффекты ; photodiodes ; dynamic photodiodes ; charge barriers ; height of charge barriers ; surface effect ; volume effect
УДК 621.383
ББК 32.854
Тип документа Статья, доклад
Тип файла Другой
Язык Русский
DOI 10.18721/JPM.11202
Права доступа Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\54242
Дата создания записи 22.10.2018

Разрешенные действия

Прочитать Загрузить (0,6 Мб)

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Проанализированы характеристики микроэлектронного динамического операционного p–i–n-фотодетектора, обусловленные взаимодействием объемных эффектов и адсорбированных частиц на поверхности пленки оксида кремния. Рассмотрены температурные характеристики в режиме светового облучения, аномальные характеристики температурного гистерезиса, процессы в адсорбированном слое и перенос носителей заряда через потенциальный барьер в объеме кремниевой подложки. Обнаружено, что чувствительность прибора по отношению к фототоку нелинейно зависит от температуры.

The characteristics of the microelectronic dynamic operational p–i–n-photodetector have been analyzed. These features are determined by the interaction of volume effects with particles adsorbed on the SiO[2] film surface. The temperature characteristics in the visible light irradiation regime, the anomalous characteristics of the temperature hysteresis, the processes in the adsorbed layer and the charge carriers transport through the potential barrier in the Si substrate bulk were considered.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все

Количество обращений: 489 
За последние 30 дней: 19

Подробная статистика