Детальная информация
Название | Связь объемных и поверхностных эффектов с высотой зарядового барьера в динамическом p–i–n-фотодиоде // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2018. – Т. 11, № 2 |
---|---|
Авторы | Дюбо Дмитрий Борисович ; Цыбин Олег Юрьевич |
Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
Выходные сведения | Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2018 |
Коллекция | Общая коллекция |
Тематика | Радиоэлектроника ; Фотоэлектрические приборы ; фотодиоды ; динамические фотодиоды ; зарядовые барьеры ; высота зарядовых барьеров ; поверхностные эффекты ; объемные эффекты ; photodiodes ; dynamic photodiodes ; charge barriers ; height of charge barriers ; surface effect ; volume effect |
УДК | 621.383 |
ББК | 32.854 |
Тип документа | Статья, доклад |
Тип файла | Другой |
Язык | Русский |
DOI | 10.18721/JPM.11202 |
Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\54242 |
Дата создания записи | 22.10.2018 |
Проанализированы характеристики микроэлектронного динамического операционного p–i–n-фотодетектора, обусловленные взаимодействием объемных эффектов и адсорбированных частиц на поверхности пленки оксида кремния. Рассмотрены температурные характеристики в режиме светового облучения, аномальные характеристики температурного гистерезиса, процессы в адсорбированном слое и перенос носителей заряда через потенциальный барьер в объеме кремниевой подложки. Обнаружено, что чувствительность прибора по отношению к фототоку нелинейно зависит от температуры.
The characteristics of the microelectronic dynamic operational p–i–n-photodetector have been analyzed. These features are determined by the interaction of volume effects with particles adsorbed on the SiO[2] film surface. The temperature characteristics in the visible light irradiation regime, the anomalous characteristics of the temperature hysteresis, the processes in the adsorbed layer and the charge carriers transport through the potential barrier in the Si substrate bulk were considered.
Количество обращений: 489
За последние 30 дней: 19