Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (270 Кб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
In this paper, the effect of the distribution profile of the doping acceptor impurity concentration in the base region of the CdS/por-Si/p-Si heterostructure on the efficiency of solar energy conversion parameters has been studied. It was established that the solar energy conversion efficiency depended on the degree of a doping acceptor impurity depletion of the near-surface p-Si layer in the por-Si/p-Si heterojunction. The distribution profile of the impurity concentration in this space is formed during the growth of a porous silicon layer. This profile is controlled through changing the technological parameters of the process of a porous film growing: the current density and the duration time of the electrochemical etching. A gain in the conversion efficiency of solar energy was explained by an increase in the penetration depth of the electric field into the base region due to formation of a certain type of the impurity concentration distribution profile. In the final, this profile promotes the rapid carry-away of charge carriers generated by the light from the base region. This carry-away occurs before the carrier recombination moment involving traps.
В работе исследуется влияние профиля распределения концентрации легирующей акцепторной примеси в базовой области гетероструктуры CdS/por-Si/p-Si на параметры, характеризующие эффективность преобразования солнечной энергии. Установлено, что указанная эффективность зависит от степени обеднения легирующей акцепторной примесью приповерхностного слоя дырочного кремния (p-Si), входящего в структуру гетероперехода por- Si/p-Si. Профиль распределения концентрации примеси в данной области формируется в ходе роста слоя пористого кремния. Управление характером профиля распределения осуществляется через изменение технологических параметров процесса роста пористой пленки: плотностью тока и длительностью электрохимического травления. Повышение эффективности преобразования солнечной энергии объясняется увеличением глубины проникновения электрического поля внутрь базовой области за счет формирования определенного вида профиля распределения концентрации примеси. В конечном итоге вид профиля способствует быстрому выносу из базовой области носителей заряда, генерируемых светом; вынос происходит до момента рекомбинации носителей при участии ловушек.
Права на использование объекта хранения
Входит в состав
Статистика использования
Количество обращений: 244
За последние 30 дней: 11 Подробная статистика |