Детальная информация

Название Синтез и реализация монолитных интегральных схем СВЧ-переключателей на основе GaAs рНЕМТ-технологии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление. – 2019. – Т. 12, № 4. — С. 84-96
Авторы Березняк А. Ф. ; Коротков А. С.
Выходные сведения 2019
Коллекция Общая коллекция
Тематика Энергетика ; Электрические аппараты в целом ; интегральные схемы ; монолитные интегральные схемы ; СВЧ-переключатели ; синтез интегральных схем ; рНЕМТ-технологии ; твердотельные СВЧ-переключатели ; проектирование СВЧ-переключателей ; integrated circuit ; monolithic integrated circuits ; microwave switches ; synthesis of integrated circuits ; technologies ; solid-state microwave switches ; design of microwave switches
УДК 621.316.3/5
ББК 32.264
Тип документа Статья, доклад
Тип файла PDF
Язык Русский
DOI 10.18721/JCSTCS.12407
Права доступа Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\62218
Дата создания записи 10.03.2020

Разрешенные действия

Прочитать Загрузить (1,3 Мб)

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

Предложен новый метод синтеза проектирования твердотельных СВЧ-переключателей. Метод базируется на процедуре синтеза по ФНЧ-прототипу. Синтез СВЧ-переключателя осуществляется по величине требуемой развязки. Минимальные вносимые потери достигаются с помощью последовательной согласующей индуктивности, создаваемой на поверхности кристалла интегральной схемы. Путем последовательных частотных и схемных преобразований формируется топология СВЧ-переключателя. Эффективность предлагаемого метода подтверждается изготовлением GaAs рНЕМТ SPDT СВЧ-монолитной интегральной схемы переключателя С-диапазона.

This paper proposes a new synthesis method for design of solid-state microwave switches. The synthesis method based on the design of a prototype low-pass filter. By implementing successive frequency transformations and circuit conversions, a switch topology obtained. The effectiveness of the method is demonstrated by manufacturing a monolithic GaAs рНЕМТ SPDT switch of C-band.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все

Количество обращений: 497 
За последние 30 дней: 29

Подробная статистика