Детальная информация
| Название | Синтез и реализация монолитных интегральных схем СВЧ-переключателей на основе GaAs рНЕМТ-технологии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Информатика. Телекоммуникации. Управление. – 2019. – Т. 12, № 4. — С. 84-96 |
|---|---|
| Авторы | Березняк А. Ф. ; Коротков А. С. |
| Выходные сведения | 2019 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Энергетика ; Электрические аппараты в целом ; интегральные схемы ; монолитные интегральные схемы ; СВЧ-переключатели ; синтез интегральных схем ; рНЕМТ-технологии ; твердотельные СВЧ-переключатели ; проектирование СВЧ-переключателей ; integrated circuit ; monolithic integrated circuits ; microwave switches ; synthesis of integrated circuits ; technologies ; solid-state microwave switches ; design of microwave switches |
| УДК | 621.316.3/5 |
| ББК | 32.264 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18721/JCSTCS.12407 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\62218 |
| Дата создания записи | 10.03.2020 |
Предложен новый метод синтеза проектирования твердотельных СВЧ-переключателей. Метод базируется на процедуре синтеза по ФНЧ-прототипу. Синтез СВЧ-переключателя осуществляется по величине требуемой развязки. Минимальные вносимые потери достигаются с помощью последовательной согласующей индуктивности, создаваемой на поверхности кристалла интегральной схемы. Путем последовательных частотных и схемных преобразований формируется топология СВЧ-переключателя. Эффективность предлагаемого метода подтверждается изготовлением GaAs рНЕМТ SPDT СВЧ-монолитной интегральной схемы переключателя С-диапазона.
This paper proposes a new synthesis method for design of solid-state microwave switches. The synthesis method based on the design of a prototype low-pass filter. By implementing successive frequency transformations and circuit conversions, a switch topology obtained. The effectiveness of the method is demonstrated by manufacturing a monolithic GaAs рНЕМТ SPDT switch of C-band.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 497
За последние 30 дней: 29
