| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
|
|
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (2,2 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В работе проведены сравнительные исследования фотолюминесценции (ФЛ) ближнего ИК-диапазона в структурах с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs с различными профилями селективного легирования. Проанализированы спектры ФЛ, зарегистрированные при температуре 5 K для различной интенсивности межзонной оптической накачки, определены основные каналы излучательной рекомбинации. Получены зависимости интенсивности основных линий ФЛ от уровня накачки. Результаты проведенных исследования позволяют утверждать, что с точки зрения эффективности использования наноструктур GaAs/AlGaAs для генерации терагерцового излучения на примесных переходах, наиболее эффективны структуры с особым профилем легирования, когда компенсирующая акцепторная примесь располагается не в квантовой яме n-GaAs, а в формирующих ее барьерах.
In the paper, comparative studies of near-IR photoluminescence (PL) in structures with GaAs/AlGaAs quantum wells possessing different selective doping profiles have been performed. The PL spectra recorded at 5 K for different intensities of interband optical pumping were analyzed and main channels of radiative recombination were determined. The dependences of the main PL line intensities on the pump level were obtained. The results of the studies performed suggest that n-GaAs/AlGaAs nanostructures with the compensating acceptor impurity located not in the n-GaAs quantum well, but in its barriers, are preferable for terahertz radiation generation.
Права на использование объекта хранения
| Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
||||
|
Интернет | Все |
|
Входит в состав
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 77
За последние 30 дней: 12 Подробная статистика |