Детальная информация

In the paper, the effects of type, dose and temperature of irradiation with stable elementary particles (0.9 MeV electrons and 15 MeV protons) on the properties of the high-voltage 4H-SiC Junction Barrier Schottky diodes at room temperature (23 С) and the limiting operating one (175 С) have been compared. The electron irradiation of the objects with equal doses at 23 С и 175 С was found to cause a significant increase in its base differential resistance in the former case and the absence of this effect in the latter. However, in the latter, DLTS spectra exhibited a noticeable increase in the concentration of deep levels in the upper half of the band gap. The proton irradiation resulted in a noticeable rise in the mentioned resistance even at 175 С. The results obtained make it possible to evaluate the radiation resistance of the studied devices to proton and electron irradiation within the framework of any given requirements.

В работе сопоставлено влияние вида, дозы и температуры облучения стабильными элементарными частицами (электронами и протонами с энергиями 15 и 0.9 МэВ соответственно) на свойства высоковольтных 4H-SiC интегрированных диодов Шоттки (JBS) при комнатной (23 С) и предельно допустимой рабочей (175 С) температурах. Установлено, что электронное облучение объекта одинаковыми дозами при температурах 23 С и 175 С приводит к существенному росту дифференциального сопротивления базовых слоев в первом случае и отсутствию этого эффекта во втором. Однако во втором случае DLTS-спектры демонстрируют заметный рост концентрации глубоких уровней в верхней половине запрещенной зоны. Протонное же облучение даже при 175 С приводит к существенному росту указанного сопротивления. Исследовано влияние отжига на облученные протонами структуры. Полученные результаты позволяют оценивать устойчивость исследованных приборов к протонному и электронному облучению в рамках любых заданных требований.