Детальная информация

В работе представлены результаты численного моделирования работы гетероструктурных диодов на основе массива нитевидных нанокристаллов арсенида индия (InAs) на кремниевых подложках, обладающих разными полярностями, а именно - n- и p-типов. Установлено, что в этих случаях удается достичь теоретических значений коэффициента идеальности, равных 1,1 и 2,1, соответственно. Для исследованных гетероструктур в температурном диапазоне 150 - 300 K характерны высокие значения квантовой эффективности при разделении фотогенерированных носителей заряда.

The paper presents the results of numerical simulation of the heterostructural diodes operation based on the array of indium arsenide nanowires on the silicon substrates with different polarities, namely n- or p-types. It has been found that it is possible to achieve theoretical values of the ideality factor equal to 1.1 and 2.1 respectively. The high quantum efficiency values are typical for the investigated heterostructures during separation of photogenerated charge carriers in the temperature range of 150–300 K.