Details
| Title | Микроволновый метод измерения низкочастотных шумов транзисторов = A microwave method for measuring the low-frequency noise of transistors // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2024. – Т. 17, № 2. — С. 61-70 |
|---|---|
| Creators | Усыченко В. Г. ; Чернова А. С. |
| Imprint | 2024 |
| Collection | Общая коллекция |
| Subjects | Радиоэлектроника ; Теория информации. Общая теория связи ; транзисторы ; низкочастотные шумы ; измерение низкочастотных шумов ; микроволновые методы измерений ; СВЧ-транзисторы ; СВЧ-колебания ; гетероструктуры ; transistors ; low-frequency noise ; measurement of low-frequency noise ; microwave measurement methods ; microwave transistors ; microwave oscillation ; heterostructures |
| UDC | 621.391 |
| LBC | 32.811 |
| Document type | Article, report |
| Language | Russian |
| DOI | 10.18721/JPM.17205 |
| Rights | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Record key | RU\SPSTU\edoc\73496 |
| Record create date | 8/23/2024 |
Для измерения низкочастотных (НЧ) шумов СВЧ-транзисторов, работающих в условиях внешних интенсивных электромагнитных помех, предлагается использовать устойчивые к их воздействию измерители флуктуаций СВЧ-колебаний. Транзистор, находящийся на плате, возбуждают малошумящим СВЧ-генератором, амплитуда колебаний которого, модулированная НЧ-шумами транзистора, измеряется СВЧ-анализатором спектра. Методика опробована на гетеротранзисторах GaN/AlGaN, в каналах которых плотность электронов формировалась посредством спонтанной и пьезоэлектрической поляризации без какого-либо дополнительного легирования. Помимо экспериментального тестирования, представлено теоретическое обоснование предложенного метода. Получены условия, при которых нормированные спектры флуктуаций амплитуды колебания аналогичны нормированным НЧ-шумам тока транзистора.
In the article, we have proposed to use microwave-fluctuation meters resistant to external intense electromagnetic noise in order to measure the low-frequency (LF) noise of microwave transistors working under these conditions. The transistor located on the board is excited by a low-noise microwave generator, the oscillation amplitude of which, being modulated by the LF noise of the transistor, is measured by a microwave spectrum analyzer. The proposed method was tested on GaN/AlGaN heterotransistors, in whose channels the electron density was formed by spontaneous and piezoelectric polarization. In addition to experimental testing, a theoretical justification for the method is presented. We obtained conditions in which the normalized spectra of oscillation amplitude fluctuations were similar to the normalized LF noise of the transistor current.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | All |
|
