Details

Для измерения низкочастотных (НЧ) шумов СВЧ-транзисторов, работающих в условиях внешних интенсивных электромагнитных помех, предлагается использовать устойчивые к их воздействию измерители флуктуаций СВЧ-колебаний. Транзистор, находящийся на плате, возбуждают малошумящим СВЧ-генератором, амплитуда колебаний которого, модулированная НЧ-шумами транзистора, измеряется СВЧ-анализатором спектра. Методика опробована на гетеротранзисторах GaN/AlGaN, в каналах которых плотность электронов формировалась посредством спонтанной и пьезоэлектрической поляризации без какого-либо дополнительного легирования. Помимо экспериментального тестирования, представлено теоретическое обоснование предложенного метода. Получены условия, при которых нормированные спектры флуктуаций амплитуды колебания аналогичны нормированным НЧ-шумам тока транзистора.

In the article, we have proposed to use microwave-fluctuation meters resistant to external intense electromagnetic noise in order to measure the low-frequency (LF) noise of microwave transistors working under these conditions. The transistor located on the board is excited by a low-noise microwave generator, the oscillation amplitude of which, being modulated by the LF noise of the transistor, is measured by a microwave spectrum analyzer. The proposed method was tested on GaN/AlGaN heterotransistors, in whose channels the electron density was formed by spontaneous and piezoelectric polarization. In addition to experimental testing, a theoretical justification for the method is presented. We obtained conditions in which the normalized spectra of oscillation amplitude fluctuations were similar to the normalized LF noise of the transistor current.