Детальная информация

Настоящая работа является продолжением исследований свойств низкопороговой автоэлектронной эмиссии из тонких (6 - 10 нм) пленок металлов Mo и Zr, сформированных на плоских подложках Si. Теперь изучались изменения морфологии пленок, вызываемые термополевым активированием и отбором эмиссионного тока. Основным экспериментальным методом была электронная микроскопия. Выдвинута гипотеза, что механизм указанных воздействий можно описать как твердотельный деветтинг (агломерация) покрытия, подвергнутого ионной бомбардировке. Для ее проверки средствами пакета SRIM проведено численное моделирование воздействия ионов на структуру Mo-пленка - Si-подложка, а также поставлен эксперимент с использованием ионного имплантера HVEE-500.

This work continues the studies of low-threshold field electron emission from thin (6 - 10 nm) films of refractory metals (Mo or Zr) deposited on flat Si substrates. Now, we have investigated the changes in the films’ morphology induced by thermo- and electroforming procedures and by the extraction of emission current. In SEM images of the samples taken after emission experiments, we observed the signs of solid-state dewetting (agglomeration) of the films, presumably caused by ion bombardment. This hypothesis was verified by SRIM simulations of the effect of ions on Mo-film/Si-substrate structure, as well as by an experiment at a HVEE-500 ion implanter.