Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Прочитать Загрузить (0,6 Мб) Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В работе исследованы свойства пленок MaPbI[3], изготовленных с применением осадителя либо без него. Образцы обладали планарной геометрией на основе керамических подложек со встречно-штыревыми золотыми электродами, а также на основе стеклянных подложек. Образцы облучали зеленым светом от светодиодного источника, а для измерения вольтамперных характеристик использовали специальную установку. Поликристаллические пленки продемонстрировали высокую фоточувствительность (увеличение тока примерно на 2 порядка при облучении). Ширина их оптической запрещенной зоны была одинаковой вне зависимости от использования осадителя, однако предельные напряжения заполнения ловушек оказались весьма чувствительными к такому использованию. По данным оптической микроскопии, для микроструктуры пленки характерно образование крупных дендритных структур, т. е. при ее изготовлении происходило зародышеобразование в толще раствора. Этот механизм может быть удобным для использования пленок MaPbI[3] в фотодетекторах.
In the paper, the properties of MaPbI[3] films made with or without a precipitant have been investigated. The samples had a planar geometry based on ceramic substrates with interdigitated gold electrodes and also based on glass substrates. The samples were irradiated with green light from a LED source, and a special setup was used to measure current-voltage (I-V) characteristics. The polycrystalline films exhibited high sensitivity (an increase in current by about 2 orders upon irradiation). The width of their optical band gap was the same regardless of the use of the precipitant but the maximum trap-filling voltages turned out to be very sensitive to such use. According to optical microscopy, the film microstructure was characterized by a growth of large long dendritic structures, i. e., the nucleation occurred in the solution mass during the films’ making. This growth mechanism may be convenient for the use of MaPbI[3] films in photodetectors.
Права на использование объекта хранения
Входит в состав
Статистика использования
Количество обращений: 71
За последние 30 дней: 4 Подробная статистика |