Детальная информация

В температурном диапазоне 100 - 400 K исследованы вольтамперные характеристики двух типов структур соединительных туннельных диодов (ТД) n{++}-GaAs-(deltaSi)/i-(GaAs/Al[0,2]Ga[0,8]As)/p{++}-Al[0,2]Ga[0,8]As-(deltaBe), отличающихся температурой роста и толщинами эпитаксиальных слоев. Определены температурные зависимости основных параметров ТД: пикового значения плотности туннельного тока J[p], плотности тока долины J[v] и дифференциального сопротивления R[d]. Образцы ТД структуры А, выращенной при температуре 500 С, обеспечивают в диапазоне 100 - 400 K наибольшие значения пикового тока J[p] меньше/равно 220 A/см{2} при температурной стабильности величины около 93 %. ТД структуры В, выращенные при температуре 450 С, показали меньшие значения плотности пикового туннельного тока: J[p] меньше/равно 150 А/см{2}, с существенной линейной температурной зависимостью. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании монолитных многопереходных фотопреобразователей мощного лазерного излучения.

The current-voltage characteristics of two types of GaAs-(deltaSi)/i-(GaAs/A[l0.2]Ga[0.8]As)/p{++}-Al[0.2]Ga[0.8]As-(deltaBe) tunnel diode (TD) structures grown at different temperatures and epitaxial layer thicknesses have been investigated in the temperature range 100 - 400 K. Temperature dependences of the main TD parameters were determined: the peak value of the tunnel current density (J[p]), the valley current density (J[v]) and the differential resistance (R[d]). TD samples of structure A grown at 500 C exhibited the highest values of the peak current density (J[p] less than/equal to 220 A/cm{2}) with temperature stability of 93 % over the whole temperature range. TD samples of structure B grown at 450 C showed lower values of the peak tunneling current density (Jp less than/equal to 150 A/cm{2}), with significantly linear temperature dependence. Our findings can be used in the design and development of monolithic multijunction photoconverters of powerful laser radiation.

Место доступа	Группа пользователей	Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ	Все
Интернет	Все

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 16, № 4, 2023. — 1 файл (12,6 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j24-70.pdf>.