Детальная информация

В температурном диапазоне 100 - 400 K исследованы вольтамперные характеристики двух типов структур соединительных туннельных диодов (ТД) n{++}-GaAs-(deltaSi)/i-(GaAs/Al[0,2]Ga[0,8]As)/p{++}-Al[0,2]Ga[0,8]As-(deltaBe), отличающихся температурой роста и толщинами эпитаксиальных слоев. Определены температурные зависимости основных параметров ТД: пикового значения плотности туннельного тока J[p], плотности тока долины J[v] и дифференциального сопротивления R[d]. Образцы ТД структуры А, выращенной при температуре 500 С, обеспечивают в диапазоне 100 - 400 K наибольшие значения пикового тока J[p] меньше/равно 220 A/см{2} при температурной стабильности величины около 93 %. ТД структуры В, выращенные при температуре 450 С, показали меньшие значения плотности пикового туннельного тока: J[p] меньше/равно 150 А/см{2}, с существенной линейной температурной зависимостью. Полученные результаты могут быть использованы при разработке и создании монолитных многопереходных фотопреобразователей мощного лазерного излучения.

The current-voltage characteristics of two types of GaAs-(deltaSi)/i-(GaAs/A[l0.2]Ga[0.8]As)/p{++}-Al[0.2]Ga[0.8]As-(deltaBe) tunnel diode (TD) structures grown at different temperatures and epitaxial layer thicknesses have been investigated in the temperature range 100 - 400 K. Temperature dependences of the main TD parameters were determined: the peak value of the tunnel current density (J[p]), the valley current density (J[v]) and the differential resistance (R[d]). TD samples of structure A grown at 500 C exhibited the highest values of the peak current density (J[p] less than/equal to 220 A/cm{2}) with temperature stability of 93 % over the whole temperature range. TD samples of structure B grown at 450 C showed lower values of the peak tunneling current density (Jp less than/equal to 150 A/cm{2}), with significantly linear temperature dependence. Our findings can be used in the design and development of monolithic multijunction photoconverters of powerful laser radiation.

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 4 раза в год. — Выходит с 07.2019. — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Текст: электронный

Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. — Санкт-Петербург: СПбПУ, 2019 -. Т. 16, № 4, 2023. — 1 файл (12,6 Мб). — Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/2/j24-70.pdf>.