Детальная информация

В работе получены распределения структурных нарушений при облучении альфа-фазы оксида галлия ионами фтора, фосфора и ксенона с энергией, измеряемой килоэлектронвольтами (температура комнатная). Установлено заметное влияние усредненной плотности индивидуальных каскадов столкновений на эффективность введения стабильных нарушений для поверхностного пика радиационных дефектов. В отличие от случаев ионной имплантации во многие другие полупроводники, впервые обнаружено, что в альфа-Ga[2]O[3] между поверхностным и объемным максимумами структурных нарушений возникает дополнительный пик. Этот промежуточный максимум ясно виден на спектрах резерфордовского обратного рассеяния при малых уровнях повреждения. Изучены характерные особенности впервые обнаруженного максимума.

In the paper, the distributions of structure damage created in alpha-phase of gallium oxide by keV fluorine, phosphorus and xenon ion irradiation, have been obtained at room temperature. A noticeable effect of the average individual collision cascade density on the stable damage production efficiency at the surface was established. In contrast to many other semiconductors, an intermediate damage peak appeared in the alpha-Ga[2]O[3] between the surface and bulk maxima. This intermediate peak visible in the RBS/C spectra at low damage levels was discovered for the first time. Characteristic peculiarities of the discovered maximum were investigated.