Детальная информация
| Название | Фотодетекторы инфракрасного диапазона на основе эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов InAsP на кремнии // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 2. — С. 9-21 |
|---|---|
| Авторы | Голтаев А. С. ; Федина С. В. ; Фёдоров В. В. ; Можаров А. М. ; Новикова К. Н. ; Максимова А. А. ; Баранов А. И. ; Кавеев А. К. ; Павлов А. В. ; Минив Д. В. ; Устименко Р. В. ; Винниченко М. Я. ; Мухин И. С. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Фотоэлектрические приборы ; фотодетекторы ; фотодетекторы инфракрасного диапазона ; нанокристаллы ; нанокристаллы на кремнии ; нитевидные нанокристаллы ; эпитаксиальные нанокристаллы ; молекулярно-пучковая эпитаксия ; photodetectors ; infrared photodetectors ; nanocrystals ; silicon nanocrystals ; filamentous nanocrystals ; epitaxial nanocrystals ; molecular beam epitaxy |
| УДК | 621.383 |
| ББК | 32.854 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18721/JPM.18201 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\76939 |
| Дата создания записи | 29.09.2025 |
В работе представлена усовершенствованная технология формирования эпитаксиальных массивов нитевидных нанокристаллов (ННК) InAsP, синтезированных на подложках кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии; исследованы оптические и электрофизические свойства этих ННК. На основе выращенных структур создан прототип фотодиода коротковолнового инфракрасного диапазона (1,2 - 1,9 мкм). Промоделированы зонные диаграммы фотодиода. Экспериментально исследованы температурные зависимости вольтамперных характеристик и спектральной чувствительности этого прототипа. Установлено, что внешняя квантовая эффективность фотопреобразования излучения с длиной волны 1380 нм составила примерно 0,25% при температуре 100 K.
In the paper, the upgraded technology of forming the epitaxial arrays of InAsP nanowires (NWs) synthesized on silicon substrates using molecular beam epitaxy has been presented. The optical and electrophysical properties of the NWs were studied. Based on the grown structures, a prototype of a short-wave infrared photodiode for a range from 1.2 mum to 1.9 mum was fabricated. Its band structures were numerically simulated. The temperature dependencies of the current-voltage characteristics and the spectral sensitivity of the photodetector prototype based on the NWs were experimentally studied. The external quantum efficiency of photoconversion of radiation with a wavelength of 1380 nm was found to be about 0.25% at 100 K.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 10
За последние 30 дней: 10
