Детальная информация
| Название | Мемристорный эффект в гетероструктурах на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия на кремнии = Memristor effect in heterostructures based on gallium nitride nanowires on silicon // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2025. – Т. 18, № 4. — С. 9-20 |
|---|---|
| Авторы | Шугуров К. Ю. ; Можаров А. М. ; Кавеев А. К. ; Федоров В. В. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; мемристорный эффект ; гетероструктуры ; нитевидные нанокристаллы ; нитрид галлия ; кремний ; петля гистерезиса (физика) ; эффект резистивных переключений ; memristor effect ; heterostructures ; nanowires ; gallium nitride ; silicon ; hysteresis loop (physics) ; resistive switching effect |
| УДК | 539.2 |
| ББК | 22.37 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18721/JPM.18401 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\78716 |
| Дата создания записи | 23.04.2026 |
Проведены экспериментальные и теоретические исследования диодных гетероструктур на основе нитевидных нанокристаллов GaN, синтезированных на кремнии. Измерения вольтамперных характеристик показали закономерность их поведения, характерную для обращенных диодов, в диапазоне от -3 до +3 В, и появление петли гистерезиса при больших смещениях. Впервые было показано, что в таких структурах может наблюдаться эффект резистивного переключения биполярного типа. Продемонстрирована способность соответствующих мемристорных ячеек сохранять свое состояние в течение не менее 65 ч при нормальных условиях, а также выдерживать продолжительные циклы считывания без потери информации.
In this work, experimental and theoretical studies of diode heterostructures based on GaN nanowires synthesized on silicon have been carried out. Current-voltage measurements showed the typical backward diode behavior in the range from -3 to +3 V and the appearance of a hysteresis loop at greater biases. It was shown for the first time that the effect of bipolar resistive switching could be observed in such structures. The ability of the corresponding memristor cells to remain their state for a long time (not less than 65 hrs) under normal conditions, as well as to bear long read cycles without loss of information were demonstrated.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
