Детальная информация
| Название | Эффект резистивного переключения в гетероструктурах n-GaN/p-Si = The resistive switching effect in the n-GaN/p-Si heterostructures // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2026. – Т. 19, № 1. — С. 9-18 |
|---|---|
| Авторы | Шугуров К. Ю. ; Можаров А. М. ; Кавеев А. К. ; Федоров В. В. |
| Выходные сведения | 2026 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика ; Физика твердого тела. Кристаллография в целом ; резистивное переключение ; мемристорные гетероструктуры ; нитевидные нанокристаллы ; молекулярно-пучковая эпитаксия ; нитрид кремния ; нитрид галлия ; кремниевые подложки ; resistive switching ; memristor heterostructures ; nanowires ; molecular beam epitaxy ; silicon nitride ; gallium nitride ; silicon substrates |
| УДК | 539.2 |
| ББК | 22.37 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18721/JPM.19101 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\78735 |
| Дата создания записи | 24.04.2026 |
В работе представлены результаты исследования мемристорных гетероструктур на основе нитевидных нанокристаллов (ННК) n-GaN на кремниевой подложке p-Si, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с разными интерфейсными слоями: нитридов кремния и алюминия (SiN и AlN). Установлено, что в зависимости от способа подготовки интерфейса меняется полярность записывающего напряжения. Кроме того, по данным емкостных измерений обнаружено, что после операции записи логического состояния емкость структуры при использовании слоя SiN снижается, тогда как для слоя AlN емкость повышается (с отличием в поведении ее релаксации).
In the paper, the findings of study the memristor based on n-GaN nanowires synthesized on silicon by the molecular beam epitaxy with SiN and AlN interface layers have been presented. The polarity inversion of writing voltage was found to depend on the interface preparation method. In addition, it was discovered by the capacitive measurements that after the logical state write operation, the structure capacitance decreased when using the SiN layer while it increased when using the AlN one. In this case, a difference was observed in the behavior of the subsequent relaxation of the capacitance.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
Количество обращений: 12
За последние 30 дней: 12
