Детальная информация
| Название | Влияние профиля траншеи из диоксида кремния на фоточувствительность КМОП-совместимого лавинного фотодиода видимого диапазона = The influence of a silica trench profile on the photosensitivity of a CMOS-compatible APD in the visible range // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2026. – Т. 19, № 2. — С. 57-67 |
|---|---|
| Авторы | Долженко Д. И. ; Леткиман Е. Д. |
| Выходные сведения | 2026 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Фотоэлектрические приборы ; фотодиоды ; фотодиоды видимого диапазона ; лавинные фотодиоды ; КМОП-совместимые фотодиоды ; фоточувствительность фотодиодов ; диоксид кремния ; траншеи из диоксида кремния ; photodiodes ; visible-range photodiodes ; avalanche photodiodes ; CMOS-compatible photodiodes ; photosensitivity of photodiodes ; silicon dioxide ; silicon dioxide trenches |
| УДК | 621.383 |
| ББК | 32.854 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18721/JPM.19205 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\80254 |
| Дата создания записи | 11.11.2026 |
В работе проведено моделирование технологических операций изготовления кремниевого лавинного фотодиода и расчет его выходных характеристик. В результате представлены значения его коэффициента умножения (49,5 - 62,3) и спектральной чувствительности (15,8 - 19,6 А/Вт) в зависимости от типа дефекта траншеи из диоксида кремния. Показано, что наибольшим образом на данные параметры влияют технологические дефекты, вызывающие сужение профиля траншеи (узкой щели) по направлению к ее дну, что приводит к снижению коэффициента умножения вплоть до 18%. Установлено, что зависимость усиления фотодиода от угла наклона стенки траншеи хорошо описывается линейной функцией. Показано, что сужение траншеи вызывает увеличение латеральной компоненты напряженности электрического поля вблизи этой траншеи, что снижает значение пробивного напряжения и не увеличивает коэффициент умножения исследуемого фотодиода.
This work has involved the simulation of technological operations of manufacturing a silicon (Si) avalanche photodiode and calculating its output characteristics. As a result, the values of its multiplication factor (from 49.5 to 63.3) and spectral sensitivity (from 15.8 to 19.6 A/W) depending on the shallow trench insulation defect type are presented for a Si avalanche photodiode. It has been shown that the technological defects causing narrowing of the width of the trench towards its bottom have the greatest impact on these parameters. As a result, the multiplication factor decreases to 18%. The dependence of the photodiode gain on the trench’s wall inclination angle was established to be described well by a linear function. It was also demonstrated that the trench narrowing led to an increase in the lateral component of the electric field strength near the groove, which reduced the breakdown voltage, but did not lead to an increase in multiplication.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ФБ СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Все |
|
