Детальная информация
| Название | Образование устойчивых радиационных повреждений при последовательной ионной бомбардировке альфа-оксида галлия = Radiation defect formation during sequential ion bombardment of alpha-gallium oxide // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. – 2026. – Т. 19, № 2. — С. 98-106 |
|---|---|
| Авторы | Клевцов А. И. ; Карасев П. А. ; Титов А. И. |
| Выходные сведения | 2026 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика ; Ядерная физика в целом ; альфа-оксид галлия ; ионные бомбардировки галлия ; последовательное облучение ; радиационные повреждения ; ионная имплантация (физика) ; радиационные дефекты ; резерфордовское обратное рассеяние ; alpha-gallium oxide ; gallium ion bombardment ; sequential irradiation ; radiation damage ; ion implantation (physics) ; radiation defects ; rutherford backscattering |
| УДК | 539.1 |
| ББК | 22.38 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.18721/JPM.19209 |
| Права доступа | Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\80258 |
| Дата создания записи | 11.11.2026 |
В работе представлены результаты исследования накопления радиационных повреждений в alpha-Ga[2]O[3] при последовательной бомбардировке ионами фтора и фосфора с различной энергией кэВ-диапазона. Установлено заметное влияние последовательности ионного облучения как на количество, так и профиль распределения устойчивых дефектов по глубине. Обсуждается физическая природа подобной некоммутативности.
This paper presents the results of a study of radiation damage accumulation in alpha-Ga[2]O[3] under sequential bombardment with fluorine and phosphorus ions with varying energies of the keV range. A significant effect of the ion irradiation sequence on both the number and depth distribution profile of stable defects was established. The physical nature of this noncommutativity is discussed.