Детальная информация
| Название | Оптимальный параметрический синтез СВЧ смесителей с максимальным коэффициентом передачи и минимальным уровнем нелинейных искажений: специальность 2.2.13. Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук |
|---|---|
| Авторы | Головань Ольга Андреевна |
| Научный руководитель | Коротков Александр Станиславович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2025 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектронная аппаратура сверхвысокочастотная ; смесители ; методика расчета ; оптимальный параметрический синтез ; максимум коэффициента передачи ; минимум нелинейных искажений |
| УДК | 621.396.6.029.64 |
| Тип документа | Автореферат |
| Язык | Русский |
| Код специальности ОКСВНК | 2.2.13. |
| Группа специальностей ОКСВНК | 2.0000 |
| DOI | 10.18720/SPBPU/2/r25-101 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\77651 |
| Дата создания записи | 08.12.2025 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Диссертационная работа посвящена вопросам анализа, синтеза и реализации смесителей на диодах и транзисторах в диодном включении. Разработана методика анализа линейных, нелинейных и шумовых характеристик смесителей, в том числе: балансных, двойных балансных, тройных балансных структур. Разработана методика параметрической оптимизации смесителей по критериям максимизации коэффициента передачи и минимизации нелинейных искажений. На основе методики параметрической оптимизации синтезированы четыре микросхемы смесителей: на диодах и на транзисторах в диодном включении C- и X- диапазонов частот, разработаны топологии кристаллов микросхем, кристаллы изготовлены на предприятии АО «Светлана-Рост» на основе технологии GaAs pHEMT, проведены экспериментальные исследования изготовленных кристаллов, сравнение теоретических и экспериментальных характеристик.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 1
