Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл - диэлектрик (переходы Мотта и Андерсона), локализованные состояния в слабо легированных полупроводниках, включая сильно компенсированные, а также термодинамика точечных дефектов. Предназначено для студентов старших курсов физических специальностей радиофизического и физико-технического факультетов; а также может быть рекомендовано аспирантам и исследователям, работающим в области физики и техники полупроводников, для углубленного изучения предмета.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- Принятые обозначения
- Глава 1. Основные понятия теории протекания
- Глава 2. Переход Мотта
- Глава 3. Модели Андерсона и Лифшица
- Глава 4. Прыжковая проводимость
- Глава 5. Кулоновская щель
- Глава б. Сильно легированные полупроводники
- Глава 7. Термодинамика дефектов
- Заключение
- Список литературы
Статистика использования
Количество обращений: 10
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |