В монографии творчески обобщены последние результаты экспериментальных исследований оптических свойств полупроводников во внешних магнитном, электрическом, деформационном полях на примере трех групп материалов: на элементарных полупроводниках (Ge, Si), соединениях A3B5 (GaAs, InAs, InSb), соединениях A4B6 (PbS, PbSe, PbTe). Эти материалы полно раскрывают особенности структуры электронных спектров полупроводников, наиболее исследованных и широко применяемых в полупроводниковых приборах. Большое внимание уделено описанию экспериментальных методик. Краткое рассмотрение теории явлений позволяет читателю сделать вывод о возможностях методов и точности измеряемых с их помощью параметров полупроводника. Книга представляет интерес для широкого круга читателей — от научных работников и инженеров, занимающихся изучением физических свойств полупроводников и разработкой новых полупроводниковых приборов, до аспирантов и студентов, изучающих курс физики твердого тела.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

• ОГЛАВЛЕНИЕ
• Из творческого наследия ученого
• Введение
• Глава 1. Электронные, фононные и оптические спектры кристаллов при отсутствии внешних полей
• Глава 2. Магнитооптические явления
• Глава 3. Электрооптические явления
• Глава 4. Пьезооптические явления
• Заключение
• Библиографический список