Соответствует содержанию дисциплины «Физика конденсированного состояния» федерального государственного образовательного стандарта по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника», может быть использовано студентами при самостоятельном изучении отдельных разделов разных курсов, читаемых на физическом потоке радиофизического факультета, а также при выполнении курсовых, бакалаврских, магистерских и научно-исследовательских работ. Может быть использовано студентами факультета технологии и исследования материалов, обучающимися по направлениям 150100 «Материаловедение и технологии материалов» и 150600 «Материаловедения и технологии новых материалов» в качестве дополнительной литературы по дисциплине «Физика конденсированного состояния» и при выполнении бакалаврских работ и магистерских диссертаций. Посвящено изложению современных представлений о примесных состояниях в полупроводниках и их влияния на электронные явления переноса. Рассмотрены локализованные и резонансные состояния примесей. Подробно изложено примесное рассеяние электронов проводимости, причем основное внимание уделено не описанному в учебной литературе резонансному рассеянию и его влиянию на подвижность, электропроводность, термо-ЭДС, эффект Холла и другие кинетические эффекты. Отдельно рассмотрено влияние резонансного рассеяния на термоэлектрические свойства полупроводников. Особое внимание уделено проблеме неоднородностей кристаллов и влиянию примесей, создающих резонансные состояния, на электрическую однородность полупроводников. Изложение теоретического материала сопровождается рассмотрением экспериментальных данных для легированных таллием соединений AIVBV!, используемых в термоэлектричестве. Заключительные разделы пособия посвящены низкотемпературной теплоемкости и сверхпроводимости полупроводников с примесными резонансными состояниями.

Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.

• ОГЛАВЛЕНИЕ
• Введение
• Принятые обозначения
• 1. Локализованные и резонансные состояния в полупроводниках
• 2. Резонансное рассеяние
• 3. Явления переноса при резонансном рассеянии
• 4. Энергетический спектр и специфика примесных состояний вполупроводниках типа AIV ВVI
• 5. Резонансные состояния таллия в халькогенидах свинца
• 6. Резонансное рассеяние дырок в теллуриде свинца. Подвижность
• 7. Термоэдс. Ширина примесной полосы
• 8. Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена. Микронеоднородности коэффициента заполнения
• 9. Число Лоренца и фактор Холла
• 10. Термоэлектрическая эффективность
• 11. Низкотемпературная теплоёмкость
• 12. Сверхпроводимость
• Заключение
• Библиографический список