Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Соответствует содержанию дисциплины «Физика конденсированного состояния» федерального государственного образовательного стандарта по направлению подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника», может быть использовано студентами при самостоятельном изучении отдельных разделов разных курсов, читаемых на физическом потоке радиофизического факультета, а также при выполнении курсовых, бакалаврских, магистерских и научно-исследовательских работ. Может быть использовано студентами факультета технологии и исследования материалов, обучающимися по направлениям 150100 «Материаловедение и технологии материалов» и 150600 «Материаловедения и технологии новых материалов» в качестве дополнительной литературы по дисциплине «Физика конденсированного состояния» и при выполнении бакалаврских работ и магистерских диссертаций. Посвящено изложению современных представлений о примесных состояниях в полупроводниках и их влияния на электронные явления переноса. Рассмотрены локализованные и резонансные состояния примесей. Подробно изложено примесное рассеяние электронов проводимости, причем основное внимание уделено не описанному в учебной литературе резонансному рассеянию и его влиянию на подвижность, электропроводность, термо-ЭДС, эффект Холла и другие кинетические эффекты. Отдельно рассмотрено влияние резонансного рассеяния на термоэлектрические свойства полупроводников. Особое внимание уделено проблеме неоднородностей кристаллов и влиянию примесей, создающих резонансные состояния, на электрическую однородность полупроводников. Изложение теоретического материала сопровождается рассмотрением экспериментальных данных для легированных таллием соединений AIVBV!, используемых в термоэлектричестве. Заключительные разделы пособия посвящены низкотемпературной теплоемкости и сверхпроводимости полупроводников с примесными резонансными состояниями.
Печатается по решению редакционно-издательского совета Санкт-Петербургского государственного политехнического университета.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Оглавление
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- Принятые обозначения
- 1. Локализованные и резонансные состояния в полупроводниках
- 2. Резонансное рассеяние
- 3. Явления переноса при резонансном рассеянии
- 4. Энергетический спектр и специфика примесных состояний вполупроводниках типа AIV ВVI
- 5. Резонансные состояния таллия в халькогенидах свинца
- 6. Резонансное рассеяние дырок в теллуриде свинца. Подвижность
- 7. Термоэдс. Ширина примесной полосы
- 8. Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена. Микронеоднородности коэффициента заполнения
- 9. Число Лоренца и фактор Холла
- 10. Термоэлектрическая эффективность
- 11. Низкотемпературная теплоёмкость
- 12. Сверхпроводимость
- Заключение
- Библиографический список
Статистика использования
Количество обращений: 13
За последние 30 дней: 1 Подробная статистика |