| Table | Card | RUSMARC | |
|
|
Allowed Actions: –
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
Action 'Download' will be available if you login or access site from another network
Group: Anonymous Network: Internet |
Annotation
Соответствует содержанию рабочей программы дисциплины «Специальные вопросы физики поверхности» направления магистерской подготовки 16.04.01 «Техническая физика». Содержит изложение теории естественных неоднородностей электростатического поля на поверхности полупроводника, в рамках которой возможно определение хаотического потенциала, связанного с наличием сосредоточенного заряда в слоях обеднения у свободной поверхности и поверхностно-барьерных структур. Обсуждается влияние естественного размерного эффекта в области пространственного заряда полупроводника на электронные свойства поверхности и контактов Шотгки. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки магистров «Техническая физика», «Электроника и микроэлектроника», а также для аспирантов и специалистов, работающих в экспериментальной технической физике, может быть полезно в системах повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования.
Печатается по решению Совета по издательской деятельности Ученого совета Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого.
Document access rights
| Network | User group | Action | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
||||
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
||||
|
Internet | Anonymous |
Table of Contents
- ОГЛАВЛЕНИЕ
- Введение
- 1. Поверхностные состояния
- 2. Стандартная модель области пространственного заряда полупроводника
- 3. Равновесное распределение примеси и потенциала в обедненных слоях полупроводника
- 4. Пределы применимости модели распределенного заряда двойного электрического слоя у поверхности полупроводника
- 5. Естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника при равномерном распределении легирующей примеси
- 6. Влияние дисперсии диэлектрической проницаемости при экранировании электрического поля на поверхности полупроводника
- 7. Хаотический потенциал на поверхности легированного полупроводника при равновесном распределении примеси
- 8. Хаотический потенциал на поверхности компенсированногополупроводника в условиях самоорганизации электроактивных дефектов
- 9. Плотность электронных состояний на поверхности полупроводника
- 10. Хаотический потенциал в контакгах поверхностно-барьерных структур. Естественные неоднородности высоты барьера шоттки
- Заключение
- Библиографический список
Usage statistics
|
|
Access count: 22
Last 30 days: 0 Detailed usage statistics |