Details

Title: Естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника и в контактных структурах: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавров и магистров «Техническая физика"
Creators: Бондаренко Вячеслав Борисович; Филимонов Алексей Владимирович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Imprint: Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2017
Electronic publication: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Учебная и учебно-методическая литература; Общая коллекция
Subjects: Электрическое поле; Полупроводники — Поверхностные свойства
UDC: 537.311.322:539.211(075.8)
Document type: Tutorial
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
DOI: 10.18720/SPBPU/2/si20-571
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Соответствует содержанию рабочей программы дисциплины «Специальные вопросы физики поверхности» направления магистерской подготовки 16.04.01 «Техническая физика». Содержит изложение теории естественных неоднородностей электростатического поля на поверхности полупроводника, в рамках которой возможно определение хаотического потенциала, связанного с наличием сосредоточенного заряда в слоях обеднения у свободной поверхности и поверхностно-барьерных структур. Обсуждается влияние естественного размерного эффекта в области пространственного заряда полупроводника на электронные свойства поверхности и контактов Шотгки. Предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки магистров «Техническая физика», «Электроника и микроэлектроника», а также для аспирантов и специалистов, работающих в экспериментальной технической физике, может быть полезно в системах повышения квалификации, в учреждениях дополнительного профессионального образования.

Печатается по решению Совета по издательской деятельности Ученого совета Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • ОГЛАВЛЕНИЕ
  • Введение
  • 1. Поверхностные состояния
  • 2. Стандартная модель области пространственного заряда полупроводника
  • 3. Равновесное распределение примеси и потенциала в обедненных слоях полупроводника
  • 4. Пределы применимости модели распределенного заряда двойного электрического слоя у поверхности полупроводника
  • 5. Естественные неоднородности электрического поля и потенциала на поверхности полупроводника при равномерном распределении легирующей примеси
  • 6. Влияние дисперсии диэлектрической проницаемости при экранировании электрического поля на поверхности полупроводника
  • 7. Хаотический потенциал на поверхности легированного полупроводника при равновесном распределении примеси
  • 8. Хаотический потенциал на поверхности компенсированногополупроводника в условиях самоорганизации электроактивных дефектов
  • 9. Плотность электронных состояний на поверхности полупроводника
  • 10. Хаотический потенциал в контакгах поверхностно-барьерных структур. Естественные неоднородности высоты барьера шоттки
  • Заключение
  • Библиографический список

Usage statistics

stat Access count: 14
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics